【成果简介】基于此，义关于中于制美国普渡大学的ChengdeMao团队和肯特州立大学的HanbinMao团队、义关于中于制以及加拿大麦吉尔大学的HanadiF.Sleiman团队（共同通讯作者）联合报道了在三聚氰胺（MA）存在的情况下，聚（胸腺嘧啶，T）会自缔合成反平行的右手双链体，其中，三聚氰胺是呈现腺嘌呤氢键结合面的一个三联的小分子。
工作报道了钙钛矿薄膜中的霍尔迁移率在80K附近超过2000cm2V-1s-1，共山国民超低双分子复合系数为3.5×10-15cm3/s和超过106的光电流增益。此外，东省定山东省磁输运研究揭示了量子干涉引起的弱局域化行为，在3.5K时相干长度高达49nm，研究结果为探索这类软晶格材料的新物理学奠定了基础。
特别地，委关卤化物钙钛矿通常可溶于各种溶剂中并且与典型的光刻工艺不相容，而且它们非常脆弱，在常规的真空金属沉积工艺中容易被破坏分解。与沉积的接触相比，经济这个工作的范德华接触显示出降低了两到三个数量级的接触电阻，从而可以在较宽的温度范围内进行系统的输运性能研究。然而，和社尽管对于钙钛矿的自旋电子学的光学研究进展令人振奋，但迄今为止，相关的输运研究在很大程度上一直受到不良接触的困扰。
因此，展第制备高质量的接触对于可靠的自旋输运研究至关重要，可以充分释放此类独特材料的潜力。【图文导读】图1.CsPbBr3单晶薄膜的表征a.在白云母上生长的CsPbBr3薄膜的X射线衍射图仅显示（00l）平面，义关于中于制表明高度取向的生长b.CsPbBr3薄膜的（110）极图显示了四个极，义关于中于制它们的等距间隔对应于{110}族的对称平面C.成膜后的大面积AFM图像，线轮廓显示了膜的厚度d.CsPbBr3薄膜表面形貌的3D图像以及相应的线轮廓图，突出显示了具有0.19nm小均方根粗糙度的超光滑表面e.CsPbBr3薄膜的光致发光光谱f.阳光直射下成膜的CsPbBr3薄膜和旋涂薄膜的照片图2.通过转移方法形成无损伤的vdW接触a.通过转移法得到接触的示意图b.在整个基板上转移的电极阵列的照片，允许在厘米级的钙钛矿薄膜上集成电极阵列c.钙钛矿薄膜上转移的金电极阵列的照片，以及具有2μm沟道长度的两端器件的特写照片d,e.钙钛矿薄膜上沉积的电极剥离前后的照片和光致发光图像f,g.钙钛矿薄膜上转移的电极剥离前后的照片和光致发光图像h.沉积和转移电极覆盖的区域在电极被剥离后的光致发光发射光谱i,j.具有沉积电极和vdW电极的CsPbBr3薄膜的横截面的扫描透射电子显微镜图像k,l.CsPbBr3薄膜横截面的高分辨率透射电子显微镜图像，其中沉积的电极显示出电极下方的无序界面（k），转移的电极显示出原子级锐利的界面（l）图3.vdW接触的性能a.通过vdW-contact方法制备的典型霍尔棒器件的照片b.在蓝色LED照明功率密度为18.8mW/cm2的情况下，具有沉积（蓝色）和vdW（红色）接触的器件的室温IVc.在各种温度下具有沉积接触和vdW接触的器件的接触电阻和沟道电阻的比较d,e.在各种光照强度下，室温（d）和3.5K（e）的vdW接触器件的IV特性f.vdW接触在不同温度下与照明功率有关的接触电阻图4.使用vdW接触探测钙钛矿的光电载流子动力学a.在不同温度下的电阻漂移，突出了室温下由施加偏压引起的离子运动，导致相当大的电阻漂移
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